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山本 春也; 楢本 洋; 鳴海 一雅; 土屋 文*; 青木 康; 工藤 博*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 134(3-4), p.400 - 404, 1998/00
被引用回数：4 パーセンタイル：40.62(Instruments & Instrumentation)電子ビーム真空蒸着法によりサファイア単結晶基板上に基板温度及び成膜速度を制御してNb膜のエピタキシャル成長を行った。RBS/channeling法により種々の基板温度で製作した膜の構造解析を行い、Nb単結晶薄膜の成膜条件を明らかにした。また、表面近傍の結晶の状態を調べるために、イオン照射により誘起された2次電子のエネルギー分析及び2次電子の角度マッピング測定を試みた。2次電子分析法がエビタキシャル膜に非常に有効な手法であることがわかった。さらに30nm~100nmの膜厚でNn単結晶膜を成膜し超伝導遷移温度の膜厚依存性を調べた。
山本 春也; 楢本 洋; 土屋 文*; 青木 康
Functionally Graded Materials 1996, 0, p.719 - 723, 1997/00
本研究では、X線用ミラー等に応用が期待される多層膜材料の創製およびイオンビームを用いた構造解析法の開発を行っている。最近、我々のグループではサファイア単結晶基板上に電子ビーム蒸着法により単結晶NbおよびCu/Nb多層膜の成膜に成功した。本研究では電子線回折(LEED)を用いての単結晶層の成膜時の基板温度等の条件を調べ、さらにRBS/チャネリング等のイオンビーム解析法により多層膜の結晶性および結晶面方位の異なる基板上に成長するNbおよびCuの結晶面の関係を明らかにした。以上のことについて報告を行う。
山本 春也; 楢本 洋; 青木 康
Journal of Alloys and Compounds, 253-254, p.66 - 69, 1997/00
被引用回数：5 パーセンタイル：44.43(Chemistry, Physical)真空蒸着法によりサファイア単結晶基板上に基板温度及び成膜速度を制御してNb薄膜、Nb/Cu多層膜の成膜を行った。RBS/channeling法により種々の基板温度で製作した膜の構造解析を行った結果、単結晶薄膜の成膜条件を見出した。さらに通常のRBS法(2.0MeV
He)では分析が困難な多層膜構造を解析ビームとして16MeV
Oを用いることにより構造解析が可能となった。Nb/Cu多層膜中に導入した水素分布を
N核反応法(NRA)を用いて測定した。多結晶のNb/Cu多層膜では水素がNb層のみに分布し、水素固溶度はNb膜厚が約80nm以下になると減少することを見出した。単結晶のNb/Cu多層膜の場合ではNb層及びCu層中にも水素が分布する結果が得られた。これはCu層とNb層との界面近傍の構造に関係していると考えられ、多層膜における水素固溶に関して新たな現象と考えられる。
